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晶體管參數(shù)測試儀
產(chǎn)品型號：JFY3022A
產(chǎn)品編號：TC-023911
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晶體管參數(shù)測試儀 型號：JFY3022A
JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀詳細介紹
※概述:
JFY3022A晶體管參數(shù)測試儀，是一種**門用于各種電子元件參數(shù)測試的新型多功能測試裝置。該機采用大規(guī)模MCU設計,中文界面操作,大容量內(nèi)存,可存2000種元件參數(shù)設置數(shù)據(jù).儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準確、操作簡單、使用安全方便,適用電子產(chǎn)品生產(chǎn)廠家或電子元件供應商來料檢測。
※ 測量元件類型:
N型三*管,P型三*管,N型MOS場效應管,P型MOS場效應管N型結型場效應管,正負三端穩(wěn)壓IC,三端肖特基,基準器431,整流二*管,整流橋堆，可控硅，穩(wěn)壓二*管.
※ 測量參數(shù):
■ 整流二*管,三端肖特基，整流橋堆:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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正向壓降(VF) |
0-2.000V |
0-2.000A |
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耐壓(VRR) |
0-1500V |
0-2.000MA |
■N型三*管:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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輸入正向壓降(VBE) |
0-2.000V |
0-2.000A |
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耐壓(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000MA |
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放大倍數(shù)(HEF) |
0-3000 |
VCE:0-20V IC:0-2.000A |
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飽和壓降(Vsat) |
0-2.000V |
IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
■P型三*管:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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輸入正向壓降(VBE) |
0-2.000V |
0-2.000A |
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耐壓(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000MA |
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放大倍數(shù)(HEF) |
0-3000 |
VCE:5.0V IB:100uA |
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飽和壓降(Vsat) |
0-2.000V |
IB:0-2.00A IC:0-2.00A |
N,P型MOS場效應管:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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啟動電壓(VGS(th)) |
0-20.00V |
0-2.000mA |
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耐壓(BVCEO) |
0-1500V |
0-2.000mA |
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導通內(nèi)阻(Rson) |
0.1Mr-200R |
Vgs:0-20V Id:0-2.000A |
單雙向可控硅:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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觸發(fā)電流(IGT) |
0-40.MA |
VD=0-20V,ID=0-2.000A |
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觸發(fā)電壓(VGT) |
0-2.000V |
VD=0-20V,ID=0-2.000A |
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耐壓(VDRM VRRM) |
0-1500V |
0-2.000mA |
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通態(tài)壓降(VTM) |
0-2.000V |
IT:0-2.00A |
三端穩(wěn)壓IC:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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輸出電壓(Vo) |
0-20.00V |
Vin:0-20V Io:0-2.00A |
基準IC 431:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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輸出電壓(Vo) |
0-20.00V |
IZ:0-200mA |
■ 穩(wěn)壓二*管:
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參數(shù)項 |
測試參數(shù) |
測試條件設置 |
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穩(wěn)壓值(VZ) |
0-20V |
0-100MA |
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穩(wěn)壓值(VZ) |
20-200V |
0-2.000MA |
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